深圳肖特基二极管应用服务为先「多图」

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由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

根据万用表示数分析，肖特基二极管测试结论如下（其中①②③为肖特基二极管自左而右的三只引脚编码）:

一，根据①-②、③-②间均可测出正向电阻，判定被测管为共阴对管，①、③脚为两个阳极，②脚为公共阴极。

二，因①-②、③-②之间的正向电阻只几欧姆，而反向电阻为无穷大，故具有单向导电性。

三，内部两只肖特基二极管的正向导通压降分别为0.315V、0.33V，均低于手册中给定的允许值VFM(0.55V)。

为解决SBD在高温下易产生由金属-半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一肖特基势垒的退化问题，ASEMI通过退火处理，形成金属-金属硅化物-硅势垒，从而提高了肖特基势垒的高温性能与可靠性。

ASEMI生产的肖特基二极管全部采用俄罗斯米克朗大芯片，产品系列通过欧盟rosh以及美国ul认证，销售覆盖***。

在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。当在肖特基势垒两端加上正向偏压(阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极)时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小;反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

　　采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。它有单管式和对管(双二极管)式两种封装形式