宜春肖特基二极管型号品牌企业 强元芯电子有限公司

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肖特基二极管是以其发明人华特?肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管。

从诞生之初，肖特基二极管就注定了其不平凡的一生，从低频到高频，从高损耗到低损耗，肖特基二极管在其发展上走出了一步一步的不平凡！ASEMI在21世纪延续了这个不平凡，将高频率低耗损环保节能的产品引入并发展！

由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

肖特基二极管

      优点：

              1.   正向压降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向***时间极短:        可达5纳秒

              3.  大的正向电流:                1A---300A之间

     缺点：

             1.反向工作电压VR低:          通常200V以下

             2.漏电流稍大些       :            仅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作电压VRRM:40V

           2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=5A

          5.浪涌电流IF***=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=1A

          5.浪涌电流IF***=25A(T=10ms)