肖特基二极管应用服务介绍「在线咨询」

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快***二极管与肖特基二极管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二极管又会有什么样的优势呢？

首先，我们来看一下一般的快***二极管。UFRD的反向***时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的***PS需要。即使是硬开关为100kHz的***PS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使***PS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。

采用这种结构的SBD，击穿电压由PN结承受。通过调控N-区电阻率、外延层厚度和P+区的扩散深度，使反偏时的击穿电压突破了100V这个长期不可逾越的障碍，达到150V和200V。在正向偏置时，高压SBD的PN结的导通门限电压为0.6V，而肖特基势垒的结电压仅约0.3V，故正向电流几乎全部由肖特基势垒供给。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装

　　元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。

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