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?ASEMI低压降肖特基15V45

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ASEMI半导体15V45是一款采用277封装的低压降肖特基产品，这款产品的设计优势对于体积大幅压缩，有效缩小应用产品的体积空间。ASEMI半导体15V45压降控制在0.38V的压降是应用在高频率快速充电器产品的较好选择。目前市面上已经有华为、小米等公司的充电器产品采用此款封装的低压降肖特基二极管成功应用案例。高超的品质工艺与电性表现使得ASEMI半导体15V45低压降二极管销量行业持续高增。

ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT

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ASEMI肖特基二极管MBR30100FCT是一种低功耗、高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，具有反向***时间短，速度快，有效防止浪涌，减少开通瞬间的功耗等功能。其封装为：TO-220；电性参数正向电流为30A，反向耐压为100V；正向峰值浪涌电流为200A，反向***时间：＜5ns，芯片尺寸：122MIL.

ASEMI肖特基MBR60200PT

ASEMI肖特基MBR60200PT的外观，本节我们以它为列，通过讲解其各项参数，会让你对整个肖特基产品系列有一个更深入的了解，为了更直观方便的说明，我们以MBR60200PT的规格书为模板进行解说：

下图截取的就是肖特基MBR60200PT参数页面文档，我们会自上而下逐条讲解每个参数所代表的意义及作用

Maximal Inverted Repetitive Peak Voltage ——反向重复峰值电压

***erage Rectified Forward Current ——平均整流正向电流

Typical Thermal Resistance (per leg)——典型热阻（每条腿)

Forward Peak Surge Current ——正向峰值浪涌电流

Peak Repetitive Reverse Surge Current ——峰值反向重复浪涌电流

Maximum Rate of Voltage Change (at Rated VR)——电压变化率（额定VR）

Operating Junction Temperature—— 工作温度

Storage Temperature ——储存温度