益阳肖特基二极管参数来电咨询「在线咨询」

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快***二极管与肖特基二极管又有什么不同呢？相比之下，ASEMI肖特基二极管又会有什么样的优势呢？

首先，我们来看一下一般的快***二极管。UFRD的反向***时间Trr也在20ns以上，根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的***PS需要。即使是硬开关为100kHz的***PS，由于UFRD的导通损耗和开关损耗均较大，壳温很高，需用较大的散热器，从而使***PS体积和重量增加，不符合小型化和轻薄化的发展趋势。

肖特基二极管的弱点和避免事项

肖特基二极体的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压只到 50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧。为了避免上述的问题，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。不过肖特基二极体的技术也已有了进步，其反向偏压的额定值可以到200V。

要问肖特基二极管与快***二极管的差别，以及为什么采购生产等都喜欢使用肖特基二极管的原因，那就是频率的高低不同，直接影响到应用当中的能源耗损，像ASEMI的肖特基二极管，其反向***时间已能缩短到5ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率 。

关于肖特基二极管的应用，ASEMI总结出以下几点：

肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky Barrier Diode)，具有正向压降低（0.4—1.0V）、反向***时间很短（0-10纳秒），而且反向漏电流较大，耐压低，一般低于150V，多用于低电压场合。