许昌肖特基二极管选型来电咨询 强元芯电子供应商

编辑：DD

为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。

　　【ASEMI讲解肖特基二极管的命名】

　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，

　　完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），

　　也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。

　　肖特基：Schottky

　　整流：Rectifier

　　SR:即为肖特基整流二极管

　　Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……

　　势垒：Barrier

　　SB:即为肖特基势垒二极管

　　肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…

MURF1060CT 强元芯ASEMI核芯动力 快***实力彰显！

采用了台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准，将漏电流有5uA加严到2uA以内；正向压降Vf由1.0V加严到0.98V即单颗管芯VF控制在0.49V以内。其采用俄罗斯进口晶圆Mikron米克朗芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可信赖度佳。