汕头肖特基二极管的作用信息推荐「强元芯电子」

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ASEMI肖特基二极管与快***二极管有什么区别?

这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快***二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线***。

要问肖特基二极管与快***二极管的差别，以及为什么采购生产等都喜欢使用肖特基二极管的原因，那就是频率的高低不同，直接影响到应用当中的能源耗损，像ASEMI的肖特基二极管，其反向***时间已能缩短到5ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率 。

快***二极管是指反向***时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快***和超快***两个等级。前者反向***时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，ASEMI肖特基二极管与快***二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了ASEMI***整流12年的佳话！

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采用了台湾健鼎的一体化测试设备，减少人工操作环节，同时检测Vb、Io、If、Vf、Ir等12个参数经过6道检测。更是打破业界测试标准，将漏电流有5uA加严到2uA以内；正向压降Vf由1.0V加严到0.98V即单颗管芯VF控制在0.49V以内。其采用俄罗斯进口晶圆Mikron米克朗芯片，具有高抗冲击能力，电性能稳定，可信赖度佳。