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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。

ASEMI肖特基二极管新品介绍——

SBD的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向***问题。SBD的反向***时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向***时间。由于SBD的反向***电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

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