瑞安肖特基二极管厂家货真价实「强元芯电子」

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SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。

肖特基二极管

      优点：

              1.   正向压降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向***时间极短:        可达5纳秒

              3.  大的正向电流:                1A---300A之间

     缺点：

             1.反向工作电压VR低:          通常200V以下

             2.漏电流稍大些       :            仅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作电压VRRM:40V

           2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=5A

          5.浪涌电流IF***=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=1A

          5.浪涌电流IF***=25A(T=10ms)

3、常用的肖特基二极管

　常见ASEMI贴片封装的肖特基型号：

　　BAT54、BAT54A、BAT54C、BAT54S:SOT-23,0.3A

　　MBR0520L、MBR0540:SOD-123,0.5A

　　SS12、SS14:DO-214AC（***A），1A

　　SL12、SL14:DO-214AC（***A），1A

　　SK22:SK24:DO-214AA（***B），2A

　　SK32:SK34:DO-214AB（***C），3A

　　MBRD320、MBRD360:TO-252,3A

　　MBRD620CT、MBRD660CT:TO-252,6A

　　MBRB10100CT:TO-263（D2PAK），10A

　　MBRB4045CT:TO-263（D2PAK），40A