神农架肖特基二极管正负服务至上「多图」

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为解决SBD在高温下易产生由金属-半导体的整流接触变为欧姆接触而失去导电性这一肖特基势垒的退化问题，ASEMI通过退火处理，形成金属-金属硅化物-硅势垒，从而提高了肖特基势垒的高温性能与可靠性。

ASEMI生产的肖特基二极管全部采用俄罗斯米克朗大芯片，产品系列通过欧盟rosh以及美国ul认证，销售覆盖***。

SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。

ASEMI肖特基二极管和普通快***二极管的区别?

肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管。 肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。

　　MBR、SR、SL、SB、STB、STP都是常见的半导体公司对肖特基产品的型号命名。各厂家命名有不同。

　　备注：美国摩托罗拉半导体公司，是世界半导体生产商。早期的半导体元件很多都是以该公司的产品命名而得到***公认、通用。摩托罗拉公司后来将半导体器件分离出来，分为：

　　成品电器（比如手机、通信终端设备、小家电等）；

　　电子元件部分是今天的ON（安森美半导体），生产功率器件；

　　Freescale（飞思卡尔半导体）生产IC集成电路；

　　如：SS12、SS14、SS16、SS18…也就是常说贴片封装。