浙江肖特基二极管的作用货真价实 强元芯电子厂家

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ASEMI新型高压SBD的结构和材料与传统SBD是有区别的。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。金属材料可选用铝、金、钼、镍和钛等，半导体通常为(Si)或(GaAs)。由于电子比空穴迁移率大，为获得良好的频率特性，故选用N型半导体材料作为基片。为了减小SBD的结电容，提高反向击穿电压，同时又不使串联电阻过大，通常是在N+衬底上外延一高阻N-薄层。

在金属内部和半导体导带相对应的分能级上，电子密度小于半导体导带的电子密度。因此，在二者接触后，电子会从半导体向金属扩散，从而使金属带上负电荷，半导体带正电荷。由于金属是理想的导体，负电荷只分布在表面为原子大小的一个薄层之内。而对于N型半导体来说，失去电子的施主杂质原子成为正离子，则分布在较大的厚度之中。

接下来我们将一起看一下ASEMI肖特基二极管和超快***二极管、快***二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。

在频率上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在电流范围上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在耐压限制范围上，肖特基二极管小于超快***二极管小于快***二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；

由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

要问肖特基二极管与快***二极管的差别，以及为什么采购生产等都喜欢使用肖特基二极管的原因，那就是频率的高低不同，直接影响到应用当中的能源耗损，像ASEMI的肖特基二极管，其反向***时间已能缩短到5ns以内。但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流（或续流）电路的效率 。