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发布时间：2022-04-19 03:34:37
编辑：DD
ASEMI肖特基二极管参数的研发拓展：
ASEMI研制的MBR60100PT MBR60150PT MBR60200PT，是专门为在输出12V~24V的***PS中替代高频整流FRED而设计的。像额定电流为2×8A的大电流高频率型SBD，起始电压比业界居***水平的200V/2×8AFRED(如STRR162CT)低0.07V(典型值为0.47V)，导通电阻RD(125℃)低6.5mΩ(典型值为40mΩ)，导通损耗低0.18W(典型值为1.14W)。
ASEMI肖特基二极管与快***二极管有什么区别?
这是两种工艺的芯片技术，势垒工艺肖特基二极管频率比平面硅片的快***二极管更高，TRR参数只几nS,基本忽略，正向导通电压低，只零点几伏（低自身功耗），但点压不高，一般只能做到200V，现在ASEMI有做300V的MBR30200PT。更高的参数需求可以详询ASEMI在线***。
【ASEMI讲解肖特基二极管的命名】
肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，
完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成SR），
也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成SBD）的简称。
肖特基：Schottky
整流：Rectifier
SR:即为肖特基整流二极管
Schottky Rectifier Diode:肖特基整二极管，简称：SR,比如：SR107,SR10100CT……
势垒：Barrier
SB:即为肖特基势垒二极管
肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做"SB1045CT、SR10100、SL…、BL…
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