浙江肖特基二极管封装服务至上「多图」

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为了获得正向压降低和反向漏电流小的SiCSBD，采用Ni接触与Ti接触相结合、高/低势垒双金属沟槽(DMT)结构的SiCSBD设计方案是可行的。采用这种结构的SiCSBD，反向特性与Ni肖特基整流器相当，在300V的反向偏压下的反向漏电流比平面型Ti肖特基整流器小75倍，而正向特性类似于NiSBD。采用带保护环的6H-SiCSBD，击穿电压达550V。

快***二极管是指反向***时间很短的二极管（5us以下），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快***和超快***两个等级。前者反向***时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下.因此相比较之下，ASEMI肖特基二极管与快***二极管各有各的优势，两者互相弥补，成就了ASEMI***整流12年的佳话！

肖特基二极管属于低功耗、大电流、超高速半导体器件，其反向***时间可小到几纳秒，正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千安。

　　肖特基二极管与PN结二极管在构造原理上有一定区别。这种管子的缺点是反向耐压较低，一般不超过100V，适宜在低电压、大电流的条件下工作。液晶彩电DC-DC变换器中的二极管一般采用的就是肖特基二极管。

　　需要说明的是，很多肖特基二极管和快***二极管有三只引脚，外形酷似晶体管。其实，这是一种内含两个肖特基二极管的复合二极管，其中一只脚为公共正极，另两只脚分别为两只二极管的负极，可用万用表方便地进行判断，