随州肖特基二极管原理免费咨询「强元芯电子」

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由于SBD的反向势垒较薄，并且在其表面极易发生击穿，所以反向击穿电压比较低。由于SBD比PN结二极管更容易受热击穿，反向漏电流比PN结二极管。

SBD的结构及特点使其适合于在低压、DA电流输出场合用作高频整流，在非常高的频率下(如X波段、C波段、S波段和Ku波段)用于检波和混频，在高速逻辑电路中用作箝位。在IC中也常使用SBD，像SBD?TTL集成电路早已成为TTL电路的主流，在高速计算机中被广泛采用。

接下来我们将一起看一下ASEMI肖特基二极管和超快***二极管、快***二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。

在频率上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在电流范围上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在耐压限制范围上，肖特基二极管小于超快***二极管小于快***二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；

由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

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SiC高压SBD

由于Si和GaAs的势垒高度和临界电场比宽带半导体材料低，用其制作的SBD击穿电压较低，反向漏电流较大。碳化硅(SiC)材料的禁带宽度大(2.2eV~3.2eV)，临界击穿电场高(2V/cm~4×106V/cm)，饱合速度快(2×107cm/s)，热导率高为4.9W/(cm·K)，抗化学腐蚀性强，硬度大，材料制备和制作工艺也比较成熟，是制作高耐压、低正向压降和高开关速度SBD的比较理想的新型材料。