恩施肖特基二极管封装来电垂询「在线咨询」

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ASEMI肖特基二极管新品介绍——

SBD的主要优点包括两个方面:

1)由于肖特基势垒高度低于PN结势垒高度，故其正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。

2)由于SBD是一种多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向***问题。SBD的反向***时间只是肖特基势垒电容的充、放电时间，完全不同于PN结二极管的反向***时间。由于SBD的反向***电荷非常少，故开关速度非常快，开关损耗也特别小，尤其适合于高频应用。

SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。

总而言之，肖特基二极管和快***二极管区别：前者的***时间比后者小一百倍左右，前者的反向***时间大约为几纳秒！

前者的优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！

快***二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺,可获得较高的开关速度,同时也能得到较高的耐压.这两种管子通常用于开关电源。快***二极管主要应用在逆变电源中做整流元件。

肖特基二极管

      优点：

              1.   正向压降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向***时间极短:        可达5纳秒

              3.  大的正向电流:                1A---300A之间

     缺点：

             1.反向工作电压VR低:          通常200V以下

             2.漏电流稍大些       :            仅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作电压VRRM:40V

           2.正向压降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏电流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=5A

          5.浪涌电流IF***=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作电压VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向压降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏电流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流电流IF=1A

          5.浪涌电流IF***=25A(T=10ms)