吉安大功率三相整流桥参数封装值得信赖「强元芯电子」

编辑：TH

整流方桥MT5010电性参数是50A100V，芯片材质采用GPP芯片。MT5010内部含有5个GPP芯片，芯片尺寸达180MIL，正向电流达50A，正向电压1.05V，浪涌电流是500A，漏电流在500uA的范围内，***时间快达500ns。

品牌：ASEMI

封装：D-63

特性：单相整流方桥

电性参数：50A1000V

芯片个数：5

浪涌电流If***：500A

工作温度：-55~+150℃

***时间(Trr)：500ns

引线数量：5

MT5010的电性参数：正向平均电流50A；反向峰值电压1000V

MT5016的包装方式：100/盒，500/箱

整流桥被广泛适用于：电源、充电器、适配器、LED灯饰、大小家电、民用及工业设备等产品中使用

大功率整流桥D50XT160 三相，替代台半， 日本新电元同型号参数。

品牌 ASEMI 

封装 DXT-5

温度 -55~+150℃

芯片材质 GPP硅

正向平均电流 50Amp

峰值反向耐压 1600V

浪涌电流IF***  500A

三相整流桥由三对反串联的二极管并联组成，使用三相电压，直流输出电压为交流输入电压的2.34倍。

三相整流桥的工作原理

整流桥原理采用桥式连接电路的方式，实现了全波整流输出的电路结构。整流桥采用集成整流桥。整流桥的作用是通过二极管的单向导通特性，将浮

于零点的交流电压转换成单向直流电压。整流桥通常用于电源中。也有单集成整流桥和四个二极管。

三相整流桥与单相整流桥的区别，前者输入电源是三相电源，后者输入电源单相电，前者整流桥有6个晶闸管，后者整流桥有4个晶闸管。

MUR20060CT、MUR20040CT ASEMI品牌快***模块 大功率

品牌：ASEMI

型号：MUR20060CT

正向平均电流：200A

反向峰值耐压：600V

漏电流：10uA

芯片材质：GPP

封装：MUR-2

操作温度：-40℃～+150℃

采用谐振电压型双环控制的谐振开关电源技术，具有稳压精度高、动态响应快的特点。