中山肖特基二极管厂家来电咨询「多图」

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接下来我们将一起看一下ASEMI肖特基二极管和超快***二极管、快***二极管、硅高频整流二极管、硅高速开关二极管的性能比较。

在频率上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在电流范围上，肖特基二极管大于超快***二极管大于快***二极管大于硅高频整流二极管大于硅高速开关二极管；

在耐压限制范围上，肖特基二极管小于超快***二极管小于快***二极管小于硅高频整流二极管小于硅高速开关二极管；

由表可见，硅高速开关二极管的trr虽极低，但平均整流电流很小，不能作大电流整流用。

SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属必须折衷考虑，故对其选择显得十分重要。对N型SiC来说，Ni和Ti是比较理想的肖特基势垒金属。由于Ni/SiC的势垒高度高于Ti/SiC，故前者有更低的反向漏电流，而后者的正向压降较小。

MBR1045CT,其中的"C":表示TO-220封装；MBR6045PT,其中的"P":表示TO-3P封装

　　元件的封装形式也在型号的前缀第四位字母中体现，例如：

　　MBRD10100CT:第四位的D,表示贴片DPAK封装

　　MBRB10100CT:第四位的B,表示贴片D2PAK封装

　　MBRF10100CT:第四位的F,表示TO-220全塑封

　　TO-252,也就是贴片DPAK封装；TO-263,也就是贴片D2PAK封装；任何型号的命名都有它的规律性可循。例如：MBR20100CT,型号中就20100是阿拉伯数字，20100中，20是电流，100是电压。以此类推。